以往的酸性無氰鍍鎘工藝需采用乙二胺四乙酸(EDTA)和氨三乙酸作為配位劑，并采用氯化銨作為輔助配位劑和導電鹽，給電鍍工業(yè)廢水處理帶來了很大的困難。生產理論標明，采用氧化法和重金屬捕捉劑沉淀法還不能有效去除上述鍍鎘廢水中的鎘離子，銨離子造成氨氮超標的問題也很突出。

　　為此，開發(fā)了氯化鉀無氰鍍鎘新工藝，并已完成范圍化生產。氯化鉀無氰鍍鎘溶液中雖不含強配位劑EDTA和氯化銨，但仍含氨三乙酸等配位劑。以雙氧水或次氯酸鈉作氧化劑不能有效破壞這些配位劑，因此其廢水處置仍有一定的難度。氯化鉀無氰鍍鎘廢水為鍍鎘生產線上的漂洗水(不包含鍍鎘層鈍化漂洗水及不合格鍍層退鎘廢水)，其中含有氯化鎘、氯化鉀、氨三乙酸等配位劑以及光亮劑和輔助劑。針對此特性，筆者研發(fā)了處置鍍鎘廢水中鎘離子的新方法。

　　1、處置方法

　　1.1 原理

　　在一定的pH范圍內，二甲基二硫代氨基甲酸鈉與鎘離子能生成穩(wěn)定的沉淀物，氨三乙酸等配位劑對該沉淀反響的影響很小。

　　1.2 試劑

　　(1)沉淀劑：100g/L的二甲基二硫代氨基甲酸鈉水溶液。

　　(2)氫氧化鈉溶液：10%的氫氧化鈉水溶液。

　　(3)稀硫酸：濃硫酸與水的體積比為1∶9。

　　(4)絮凝劑：0.5%的高分子量聚丙烯酰胺水溶液。

　　1.3 工藝流程

　　工藝流程如圖1所示。

　　(1)將氯化鉀無氰鍍鎘廢水從儲存池泵入pH調理池，在攪拌的情況下加稀硫酸或氫氧化鈉溶液調理廢水的pH至5.0~7.5(用酸度計控制)。

　　(2)廢水從pH調理池流入沉淀反響池后，每噸廢水中加沉淀劑20L，反響20~40min。

　　(3)廢水從沉淀反響池流入絮凝池后，適量參與絮凝劑并攪拌，使沉淀顆粒聚集長大。

　　(4)廢水從絮凝池流入斜管沉降池后，沉淀物沉入底部。

　　(5)斜管沉淀池中的清水流入中和反響池后，攪拌池液，用氫氧化鈉溶液或稀硫酸調理廢水的pH至6~9(用酸度計控制)。

　　(6)中和處置后的廢水排入生化反響池，使配位劑與其他有機物添加劑及其合成產物發(fā)作降解反響，降低廢水的COD。

　　(7)經生化降解的廢水從排水口排出。(8)用污泥泵將斜管沉降池中的沉淀物泵入板框式壓濾機。壓濾后濾液流回廢水儲存池，濾餅交給有資質的專業(yè)廠家處置。

　　2、討論

　　2.1 螯合沉淀時pH的影響

　　將稀釋至鎘離子質量濃度為180mg/L的氯化鉀無氰鍍鎘溶液作為模擬廢水，每次實驗取1L，調理至不同的pH后參與20mL/L沉淀劑，攪拌試液20~30s，60min后用定量濾紙過濾試液，用WFX-210型原子吸收分光光度計測定濾液中鎘離子的質量濃度，所得結果列于表1。

　　實驗標明，氯化鉀無氰鍍鎘廢水的pH在2.47~9.34范圍內，以二甲基二硫代氨基甲酸鈉沉淀鎘離子，處置后鎘離子的質量濃度滿足GB21900–2008《電鍍污染物排放標準》的“表2”懇求(總鎘限值0.05mg/L)，當pH為4.43~7.68時，處置結果以致滿足GB21900–2008的“表3”懇求(總鎘限值0.01mg/L)。

　　2.2 配位劑初始濃度的影響

　　氯化鉀無氰鍍鎘廢水中含有氨三乙酸等配位劑，其濃度對鎘離子的處置結果會產生影響。配制氯化鉀無氰鍍鎘溶液，其中含配位劑120g/L、鎘離子18g/L，pH=6.5。取該鍍液10、20、30和40mL分別于5只2000mL燒杯中，加水稀釋至1000mL，然后分別參與沉淀劑20、40、80和160mL，攪拌試液20~30s，60min后用定量濾紙過濾試液，測得濾液中鎘離子的質量濃度(見表2)。

　　實驗標明，在接近中性的條件下，氯化鉀無氰鍍鎘廢水中配位劑的質量濃度若不超越2.4g/L，以二甲基二硫代氨基甲酸鈉沉淀處置后，鎘的剩余質量濃度滿足GB21900–2008的“表2”懇求，以致在配位劑的初始質量濃度不超越1.2g/L的情況下能滿足GB21900–2008的“表3”懇求，但當配位劑的質量濃度抵達3.6g/L時，需求加大沉淀劑才干抵達“表2”的懇求，當配位劑的質量濃度抵達4.8g/L時，即使增加1倍的沉淀劑用量也很難達標。

　　2.3 理論檢驗

　　某電器公司采用本法處置氯化鉀無氰鍍鎘廢水，從處置設備排水口6次取樣中止分析，所得鎘離子的質量濃度分別為0.012、0.023、0.018、0.008、0.027和0.013mg/L，均滿足GB21900–2008的“表2”懇求。

　　3、結語

　　以二甲基二硫代氨基甲酸鈉沉淀分別氯化鉀無氰鍍鎘廢水中的鎘離子，處置結果能夠滿足現(xiàn)行排放標準的懇求。該方法在貴州航空航天企業(yè)運用后，取得了良好的環(huán)境效益和社會效益。